Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4923DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
SI4923DY-T1-E3 Hakkında
SI4923DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 6.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliğiyle 10V referansta 70nC gate charge değerine sahiptir. 21mOhm maksimum RDS(On) direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile tasarlanmıştır. Açık kaynak projeleri, endüstriyel kontrol uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge değeri hızlı komütasyon gerektiren uygulamalar için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok