Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4922BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4922BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4922BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlaması, PWM denetleyicileri, motor sürücüleri ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 16mΩ (10V, 5A'da) düşük RDS(on) direnci ve 62nC maksimum gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2070pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok