Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4922BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4922BDY-T1-E3 Hakkında
SI4922BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj (Vdss) ve 8A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüşüm devrelerinde kullanılır. 16mOhm (10V, 5A şartlarında) düşük on-state direnci (Rds(on)) sayesinde enerji kaybını minimize eder. 8-SOIC yüzey montaj paketi kompakt PCB tasarımına olanak tanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, akü yönetim sistemleri, DC-DC konvertörler, solenoid kontrolü ve düşük sinyal uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2070pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok