Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4920DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
SI4920DY-T1-GE3 Hakkında
SI4920DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir ve 10V, 6.9A koşullarında 25mOhm on-resistance değerine ulaşır. Gate charge değeri 5V'de maksimum 23nC olarak belirtilmiştir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 2W güç tüketebilir. Düşük on-resistance ve logic level gate özellikleri sayesinde anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi ve sinyal kontrol devrelerinde kullanılır. Threshold voltajı 250µA akımda minimum 1V'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok