Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4920DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
SI4920DY-T1-E3 Hakkında
SI4920DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve Logic Level Gate özelliği ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, güç yönetimi, aydınlatma kontrol sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Maksimum 2W güç tüketimiyle kompakt elektronik tasarımlara entegre edilebilir. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok