Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4916DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
SI4916DY-T1-GE3 Hakkında
SI4916DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge MOSFET dizisi olup 8-SOIC paket formatında temin edilmektedir. 30V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu transistör, logic level gate kontrolü ile düşük gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 18mOhm (10A, 10V koşullarında) RDS(on) değeri ve 10nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun bir bileşendir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans göstermektedir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A, 10.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.3W, 3.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok