Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4916DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
SI4916DY-T1-E3 Hakkında
SI4916DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge MOSFET transistörüdür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 30V drain-source gerilim ile 10A sürekli drenaj akımı sağlar. 18mOhm RDS(on) değeri düşük anahtarlama kayıpları ve verimli çalışma imkanı sunar. 3.3W maksimum güç saçıtması ile sürücü devreleri, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A, 10.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.3W, 3.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok