Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4914DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC
SI4914DY-T1-E3 Hakkında
SI4914DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörü olup half bridge konfigürasyonunda tasarlanmıştır. 30V drain-source gerilimi, 5.5A sürekli drain akımı ve 23mOhm on-direnci ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Logic level gate özelliği ile düşük kontrol geriliminde (Vgs threshold 2.5V @ 250µA) çalışır. 8.5nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama güç uygulamalarında kullanılır. Surface mount 8-SOIC pakette sunulmakta olup şu anda üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A, 5.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W, 1.16W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok