Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4914BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
SI4914BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4914BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonlu MOSFET dizisidir. 30V drain-source gerilim kapasitesine sahip bu transistör, 8.4A sürekli dren akımı sağlayabilir. 21mOhm On-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sunar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 2.7W-3.1W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 10.5nC olup, 4.5V gate geriliminde aktif hale gelir. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya elverişli bu MOSFET, motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Halihazırda üretimi durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A, 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.7W, 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok