Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4914BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
SI4914BDY-T1-E3 Hakkında
SI4914BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. Half-bridge konfigürasyonunda tasarlanmış bu komponent, 30V drain-source voltajı ve 8.4A sürekli drain akımı özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 21mOhm (10V, 8A koşullarında) olan düşük on-state direnci ile verimli güç dönüşümü sağlar. 10.5nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlamaya olanak tanır. Surface Mount paketi (8-SOIC) ile kompakt devre tasarımlarına uygunluğu bulunmaktadır. DC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel uygulamalar için desteklemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A, 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.7W, 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok