Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4913DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
SI4913DY-T1-GE3 Hakkında
SI4913DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V Vdss rating ile 7.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği ile düşük giriş voltajlarında çalışabilir ve 15mOhm maksimum Rds(on) değeri ile iyi iletim karakteristiği sunar. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve genel amaçlı DC anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarına uyumludur. Cihaz şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok