Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4913DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
SI4913DY-T1-E3 Hakkında
SI4913DY-T1-E3, Vishay üretimi dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj kapasitesi ve 7.1A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 4.5V gate voltajında 15mOhm on-resistance değerine ulaşır. 8-SOIC yüzey montajlı paketlemesiyle kompakt devre tasarımlarında kullanılır. Endüstriyel uygulamalar, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve sinyal kontrol uygulamalarında tercih edilir. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. Maksimum gate yükü 65nC'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok