Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4910DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
SI4910DY-T1-GE3 Hakkında
SI4910DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 7.6A kontinü dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 27mOhm'luk düşük on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 8-SOIC yüzey montajı paketi küçük form faktörü gerektiren tasarımlarda yer tasarrufu imkanı tanır. Motor kontrolleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama regülatörleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 855pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok