Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4909DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
SI4909DY-T1-GE3 Hakkında
SI4909DY-T1-GE3, Vishay üretimi dual P-Channel MOSFET transistöründür. 40V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 2.5V maksimum gate threshold voltajı ile düşük kontrolü gerektiren uygulamalara uygundur. 27mOhm on-state direnç (Rds On) ile enerji verimliliği sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve genel transistör uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok