Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4908DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
SI4908DY-T1-GE3 Hakkında
SI4908DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 60mOhm RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu komponent, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtar modlu güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 355pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.75W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok