Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4900DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
SI4900DY-T1-GE3 Hakkında
SI4900DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 5.3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle entegre devre tasarımlarında güç kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle doğrudan çalıştırılabilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Düşük RDS(on) değeri (58mOhm) ile enerji kaybını minimize ederek DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 665pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok