Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4834CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI4834CDY-T1-GE3 Hakkında
SI4834CDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulan bu komponent, 20mOhm (RdsOn) ile düşük iletim direncine ve 25nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç uygulamalarında kullanılan bu transistör, verimli enerji dönüşümü gerektiren elektronik devrelerde yer alır. Dual konfigürasyonu sayesinde push-pull ve yarım köprü topolojileri için uygundur. Lütfen kullanım öncesinde teknik datasheetine başvurunuz.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.9W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok