Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI4834BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4834BDY

SI4834BDY-T1-E3 Hakkında

SI4834BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltaj desteği ile 5.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 22mOhm (10V, 7.5A) RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) güvenilir operasyon sunar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, power management devreleri, motor kontrolü ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Lojik seviye tetikleme özelliği, düşük voltajlı kontrol devrelerinin doğrudan bağlanmasını mümkün kılar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok