Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4830CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4830CDY-T1-GE3 Hakkında
SI4830CDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel half bridge konfigürasyonunda bir MOSFET dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip bu komponent, 20mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 2.9W maksimum güç yayılımı kapasitesine ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, motor kontrol, güç anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Hızlı anahtarlama hızı ve düşük kapı yükü ile verimli devre tasarımına olanak tanır. Bileşen mevcut üretimde bulunmamaktadır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.9W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok