Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4830CDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4830CDY-T1-E3 Hakkında
SI4830CDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonlu MOSFET dizisidir. 30V drain-source voltaj ve 8A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim sürücü devrelerine uyumludur. 20mOhm RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Surface Mount 8-SOIC paket formatında sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olup, endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde yaygın olarak kullanılan bir transistör türüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.9W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok