Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4830ADY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4830ADY-T1-GE3 Hakkında
SI4830ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel yarım köprü MOSFET'tir. 30V Drain-Source gerilimi ve 5.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalıştırılabilir. 22mOhm (10V, 7.5A) düşük ON direnci ve 11nC (4.5V) gate yükü karakteristiği ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan, yüzey montajlı 8-SOIC paketinde sunulan bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok