Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4830ADY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4830ADY-T1-E3 Hakkında
SI4830ADY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel (Half Bridge) konfigürasyonlu MOSFET transistörüdür. 30V Drain to Source voltaj desteği ve 5.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol devrelerinden direkt olarak yönlendirilebilir. 22mOhm (10V, 7.5A) On-State Resistance ile verimli anahtarlama sağlar. Surface Mount 8-SOIC paket ile kompakt PCB tasarımlarına entegre edilebilir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam koşullarını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok