Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4818DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
SI4818DY-T1-GE3 Hakkında
SI4818DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 5.3A continuous drain akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate kontrolü sayesinde düşük gerilimli kontrol devrelerine uygun hale getirilmiştir. 22mΩ RDS(on) değeri ile düşük kayıplar sunar. Surface mount 8-SOIC paket içinde gelen komponent, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve dijital kontrollü aydınlatma sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A, 7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1W, 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok