Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4818DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
SI4818DY-T1-E3 Hakkında
SI4818DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 5.3A continuous drain akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük gate charge (12nC @ 5V) ve düşük on-state direnci (22mOhm @ 10V) ile karakterizedir. Logic level gate girişine sahip olması, düşük gerilim kontrolü için uygun hale getirmektedir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. Bileşenin Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A, 7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1W, 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok