Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4816DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
SI4816DY-T1-GE3 Hakkında
SI4816DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 5.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olup 5V ile direkt TTL/CMOS kontrol sağlar. 22mOhm (10V, 6.3A) düşük RDS(on) değeri ile verimli enerji transferi gerçekleştirir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır ve DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Bileşen artık kullanım dışı statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A, 7.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1W, 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok