Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4816DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
SI4816DY-T1-E3 Hakkında
SI4816DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel (Half Bridge) konfigürasyonlu MOSFET transistör dizisidir. 30V Drain to Source voltajı ve 5.3A-7.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliğine sahip olup, 5V gate sürüsü ile kontrol edilebilir. 22mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount 8-SOIC paket ile PCB'ye monte edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Motor denetim devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün statüsü Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A, 7.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1W, 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok