Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4816BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
SI4816BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4816BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge MOSFET dizisidir. 30V drain-source gerilimi ile 5.8A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahiptir ve 10V Vgs'de 18.5mOhm düşük Rds(On) değeri ile verimli komütasyon sağlar. 8-SOIC SMD paketinde sunulan komponentin maksimum 10nC gate charge değeri hızlı anahtarlama uygulamalarında düşük güç tüketimi sunar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A, 8.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W, 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 6.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok