Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4816BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
SI4816BDY-T1-E3 Hakkında
SI4816BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltajı ve 5.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, düşük 18.5mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Half bridge konfigürasyonunda kullanılmaya uygun olan SI4816BDY, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve ters çevirici uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 8-SOIC SMD paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. 10nC gate charge değeri hızlı anahtarlama ve düşük güç kaybı sağlayan uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A, 8.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W, 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 6.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok