Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4814BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
SI4814BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4814BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel half-bridge MOSFET dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol devrelerinden doğrudan sürülebilir. 18mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama güç kaynakları ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A, 10.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.3W, 3.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok