Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4814BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
SI4814BDY-T1-E3 Hakkında
SI4814BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen 2 adet N-Channel MOSFET'ten oluşan Half-Bridge konfigürasyonunda bir transistör dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 10A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, logic level gate özelliğiyle düşük kontrol geriliminde çalışabilir. 18mOhm on-state direnci ile verimli güç anahtarlaması sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan SI4814BDY, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 3.3W güç dağıtabilir. Cihazın üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A, 10.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.3W, 3.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok