Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI4804CDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4804CDY

SI4804CDY-T1-GE3 Hakkında

SI4804CDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 30V Vdss değeri ile orta seviye voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 8A sürekli drain akımı ve 22mOhm on-resistance özellikleri ile anahtarlama devrelerinde düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olan bu bileşen, motor sürücüleri, güç yönetimi, LED kontrolü ve dijital anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 3.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok