Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4804BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
SI4804BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4804BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 5.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj sürücü devrelerle doğrudan uyumlu çalışır. 22mOhm (10V, 7.5A koşullarında) düşük on-direnç değeri ve 11nC gate charge ile verimli komütasyon sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC konvertörler, motor sürücüler, LED sürücüler ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Ürün şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok