Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4670DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
SI4670DY-T1-GE3 Hakkında
SI4670DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajı ve 8A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip bu transistör, 23mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır. Endüstriyel kontrolcüler, motor sürücüleri, güç dağıtımı ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 2.8W maksimum güç tüketimi ve düşük gate charge karakteristiği hızlı komütasyon gerektiren devrelere uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 13V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok