Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI4670DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4670DY

SI4670DY-T1-E3 Hakkında

SI4670DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 25V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 10V'da 18nC gate yükü ve 10V, 7A'da 23mOhm RDS(on) değerleri sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve genel amaçlı dijital lojik kontrollü analog devrelerinde kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 13V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok