Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4650DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4650DY-T1-E3 Hakkında
SI4650DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesiyle çalışır. 8-SOIC paket türünde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 18mΩ on-state dirençle (RDS ON) düşük ısıl kayıplar sağlar. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında çalışabilen cihaz, 40nC gate charge ve 1550pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Verimli güç elektronikleri tasarımları için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok