Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4622DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4622DY-T1-GE3 Hakkında
SI4622DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V Vdss ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 16mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde verimli çalışır. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt tasarım sağlar. Motor kontrol, güç yönetimi, ses amplifikatörleri ve aydınlatma uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında geniş ortam koşullarına uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2458pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.3W, 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 9.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok