Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4618DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
SI4618DY-T1-GE3 Hakkında
SI4618DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel half bridge konfigürasyonlu MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ile tasarlanmış olup, 25°C sıcaklıkta 8A sürekli drain akımı sağlayabilmektedir. 17mOhm RDS(on) değeri ile (8A, 10V şartlarında) düşük iletim kaybı sunar. 44nC gate charge karakteristiğiyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışmak üzere tasarlanmıştır. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A, 15.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1535pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.98W, 4.16W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok