Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4599DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
SI4599DY-T1-GE3 Hakkında
Vishay SI4599DY-T1-GE3, dual N ve P-channel MOSFET transistör olarak tasarlanmış komplementer FET dizisidir. 40V Vdss derecelendirmesi ve 6.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği düşük sürücü voltajlarıyla çalışabilmesini sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve endüstriyel kontrol, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüsü ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A, 5.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3W, 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35.5mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok