Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4590DY-T1-GE3
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
SI4590DY-T1-GE3 Hakkında
SI4590DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen çift kanallı MOSFET transistörüdür. N-Channel ve P-Channel FET'leri aynı pakette içerir. 100V drain-source gerilim derecelendirmesi ile güç uygulamalarında, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. SO8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 57mΩ on-resistance ve 3.4A sürekli dren akımı özellikleriyle düşük ısı kaybı ve verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında geniş uygulama yelpazesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A, 2.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.4W, 3.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok