Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4569DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
SI4569DY-T1-GE3 Hakkında
SI4569DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen ikili N ve P-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 7.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey monte paketidir. Vgs eşik voltajı maksimum 2V, Rds(on) değeri 10V gate voltajında 27mOhm'dur. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı lojik devrelerinde kullanılır. Düşük gate charge (32nC) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Dikkat: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A, 7.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 855pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W, 3.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok