Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI4569DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4569DY

SI4569DY-T1-E3 Hakkında

SI4569DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET dizisi transistördür. 40V drain-source voltaj desteği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 7.6A sürekli drain akımı kapasitesi sayesinde güç elektroniği, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 27mOhm On-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı paket tipinde sunulan bileşen, geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans gösterir. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük gate charge değeri ile modern anahtarlamalı güç kaynakları ve sürücü devreleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A, 7.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 855pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 3.1W, 3.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok