Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4565ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
SI4565ADY-T1-GE3 Hakkında
SI4565ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. 40V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 6.6A maksimum sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC SMD paket içerisinde iki transistörü barındırır. 39mOhm (10V, 5A) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Anahtarlama devreler, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A, 5.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok