Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4564DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
SI4564DY-T1-GE3 Hakkında
SI4564DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N/P-channel MOSFET transistör dizisidir. 40V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrolüne uygun olan bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol, power switching ve analog switch uygulamalarında tercih edilir. 8-SOIC yüzeye monte paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 17.5mOhm on-resistance değeriyle düşük enerji kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A, 9.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 855pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W, 3.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok