Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4563DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
SI4563DY-T1-GE3 Hakkında
SI4563DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET dizi komponentdir. 40V drain-source voltajı ve 8A sürekli drain akımı kapasitesiyle, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulan bu FET, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 16mOhm (10V, 5A'da) düşük on-state direnci, 85nC gate charge ve 2390pF input kapasitesi teknik özellikleri arasındadır. Güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC konvertör uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok