Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI4563DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4563DY

SI4563DY-T1-E3 Hakkında

SI4563DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET dizisi transistörtür. 40V drain-source voltaj desteği ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 16mOhm on-state direnci (Rds On) ile düşük ısıl kaybı sağlar. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve dijital lojik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Cihazın üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 3.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok