Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4562DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
SI4562DY-T1-GE3 Hakkında
SI4562DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET dizisidir. 20V drain-source gerilim aralığında çalışan bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahip olup 4.5V gate geriliminde 50nC gate charge değerine ve 25mOhm on-state direncine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 2W güç tüketiminde kullanılabilir. Düşük gate charge değeri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. CMOS logic devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok