Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4562DY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
SI4562DY-T1-E3 Hakkında
SI4562DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET çifti entegre transistör dizisidir. 20V Drain-Source geriliminde çalışan bu komponent, Logic Level Gate girişi ile düşük seviye sinyallerle kontrol edilebilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan SI4562DY, 25mOhm on-resistance karakteristiğine sahip olup anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge gereksinimi sayesinde hızlı komutasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu diyot, endüstriyel kontrolcüler, güç yönetim devrelerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok