Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4561DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
SI4561DY-T1-GE3 Hakkında
SI4561DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 40V drain-source voltaj kapasitesi ve 6.8A/7.2A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliğine sahip olan bu bileşen, düşük kapı gerilimi (3V) ile doğrudan CMOS/TTL lojik devrelerle uyumludur. 35.5mOhm (Vgs=10V) RDS(on) değeri ile verimli anahtar işlemi sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan SI4561DY, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC konverter ve elektrik şalter uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A, 7.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3W, 3.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35.5mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok