Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4561DY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
SI4561DY-T1-E3 Hakkında
SI4561DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual MOSFET transistörüdür. N ve P kanallı yapısıyla eşleştirilmiş transistör çiftini barındıran bu bileşen, 40V drain-source voltajı ve 6.8A sürekli drain akımı ile çalışabilir. Logic level gate özelliğine sahip olup, 35.5mΩ gate-source direnci ile düşük güç tüketimi sağlar. 8-pin SOIC yüzey montaj paketinde sunulan SI4561DY, motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve dijital lojik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Ürün kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A, 7.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3W, 3.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35.5mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok