Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
SI4559ADY-T1-GE3 Hakkında
SI4559ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-channel ve P-channel yapılandırması ile tamamlayıcı işlevler sağlayan bu bileşen, 60V drain-source gerilimi ile çalışabilir. 5.3A ve 3.9A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim lojik devreleri tarafından doğrudan kontrol edilebilir. 58mOhm on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile PCB'ye kompakt bir şekilde entegre edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A, 3.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 665pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W, 3.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok